01
基本院校/专业情况介绍
微电子学院
01 学院介绍
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应时而生已不凡，勇立潮头势更坚。成立于2018年的微电子学院，是华南理工大学广州国际校区首批建设学院，也是教育部首批国家示范性微电子学院（筹建）。新一代信息技术是世界发展的引擎，也是国际科技竞争的焦点。在集成电路领域形成创新能力和人才集聚优势，是国家的重大发展战略。聚焦国家战略布局，顺应行业技术需求，培育集成电路领域高端人才，带着强烈的使命感，微电子学院应运而生。2019年，微电子学院入选广东省首批示范性产业学院。
海外英才多延揽，科研骨干齐云集。依托国际示范性微电子学院的师资力量，招揽海内外优秀人才，目前学院已汇聚了一支年轻化、国际化、高水平的教学及科研团队，包括中国科学院双聘院士、高层次人才引进计划（多名来自Intel、MIT等国际集成电路顶级企业和高校）、国家杰青等众多高层次人才。与此同时，学院围绕集成电路产业链条，聘请龙头企业的高端人才担任学院兼职教授或客座教授，打造学术与工程兼备的强大师资。具有海外学习或工作经历人员比例为75%，具有资深集成电路设计经验人员比例为38%。学院学科专业分布多元，基础与应用研究齐全，形成涵盖集成电路“设计-制造-封测-整机”的专业全链条。目前正聚焦宽带通信芯片、计算和人工智能芯片、低功耗物联网芯片、第三代半导体器件与芯片、半导体材料与器件、柔性电子等领域开展前瞻性应用基础研究和芯片研制，以及在通信、雷达、物联网、人工智能、医学健康等领域的应用系统研究。
多管齐下重学研，致力创新育英才。学院实施科学的人才培养体制，注重专业基础教学，强化创新能力培养，为学生打下坚实的微电子和集成电路等交叉学科知识体系。整合海内外优秀师资，邀请海外大师授课，提升学生国际视野。学院拥有国家集成电路人才培养基地、国家级人才培养模式创新实验区、国家工程实践教育中心、国家级实验教学示范中心等教学实践基地，为创新人才培养提供坚实的平台保障。
地处粤港澳湾区，学研产用优势显。依托地处电子信息产业发达的粤港澳大湾区的优势，学院致力于与国内龙头企业和研究所共建联合培养基地，在开展前沿学术研究的同时，深度对接企业需求，在集成电路领域开展核心关键技术研究并积极推进技术转化，实现“学研产用”的深度融合。同时，实行学企双导师制，加强理论与应用的综合能力培养，深度推进“产-学-研”协同育人计划。
学生培养效果显著，优秀人才供不应求。学院本硕博专业学科齐备，本科招生专业为微电子科学与工程和集成电路设计与集成系统专业，研究生招生专业为微电子学与固体电子学专业和电子信息专业。集成电路毕业生供不应求，就业率100%，读研、出国深造比例超过50%，在世界500强企业就业人数比例超过30%，毕业生普遍受到行业龙头企业好评与重用。
02
专业方向及学制
学院代码及名称
（303）微电子学院
080900电子科学与技术
085400电子信息
（307）集成电路学院
085403集成电路工程
140100集成电路科学与工程
学费奖学金情况
（一）学费标准
学术学位硕士研究生的学费标准为：定向/非定向生8000元/年；
（二）奖助学金
我校对非定向就业全日制硕士研究生设立“学业奖学金”，覆盖面100%，最高额度达12000元/人/年;对全日制硕士研究生(有固定工资收入的除外)设立“国家助学金”，标准为每年6000元/人/年;同时，教育部设有“研究生国家奖学金”，奖励标准为20000元/人。此外，学校还设有各类企业捐赠奖助学金，家庭经济困难研究生可通过申请“学校困难补助”和“校园地国家助学贷款”、担任研究生三助(助教、助研、研管)岗位等方式获得资助完成学业。
非全日制硕士研究生按相关规定和标准缴纳学费，不享受奖助金，学校不安排住宿。
03
拟录取名单
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04
就业介绍
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在电路与模拟电子技术领域,人们可以从事许多不同的职业,例如电路设计师、电子工程师、电气工程师、电信工程师等。这些职业需要具备深厚的电路和电子技术知识,以及丰富的实践经验。在就业方面,电路与模拟电子技术历史专业的毕业生可以在许多不同的行业找到工作,例如电子产品制造、通信、能源、自动化等。
05
国家线&复试线
06
考试科目介绍
初试科目：
① 101 思想政治理论
② 201 英语一
③ 301 数学一
④ 838 电子技术基础(含数字与模拟电路)
初试参考书目
101|思想政治理论:
全国统考科目，考试大纲、考试题型以教育部公布为准。
201|英语一:
全国统考科目，考试大纲、考试题型以教育部公布为准。
301|数学一:
全国统考科目，考试大纲、考试题型以教育部公布为准。
838 电子技术基础(含数字与模拟电路)：
(一)、模拟电子技术
1. 半导体材料及导电特性；PN结与半导体二极管的特性；二极管直流分析与模型；二极管交流等效电路分析；各种二极管类型介绍；设计应用实例（二极管构成的温度计）；
2. 整流电路；齐纳二极管电路；钳位和限幅电路；多二极管电路；光电二极管和发光二极管（LED）；二极管电路设计实例：直流电源；
3. 双极型晶体管结构及工作原理分析；双极型晶体管电路的直流分析；双极型晶体管构成的三种放大电路的直流分析；双极型晶体管多级放大电路的直流分析；
4. 双极型晶体管交流小信号等效模型；双极型晶体管放大电路小信号等效电路；共射放大电路交流小信号放大分析；共集放大电路（射极跟随器）交流小信号放大分析；共基放大电路交流小信号放大分析；三种基本双极型晶体管放大电路的总结和比较；双极型晶体管多级放大电路分析；设计应用实例：音频放大器；
5. MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）结构及工作原理分析；MOSFET放大电路直流分析；MOSFET多级放大电路直流分析；设计应用实例：带MOSFET晶体管的二极管温度计；
6. MOSFET交流小信号等效模型；MOSFET放大电路交流等效电路；共源放大电路交流小信号放大分析；共漏放大电路（源跟随器）交流小信号放大分析；共栅放大电路交流小信号放大分析；三种MOSFET基本放大电路结构总结与比较；MOSFET多级放大电路分析；
7. 放大器频率响应概念；频率响应的系统传输函数；晶体管放大电路中电容对频率响应的影响分析；双极型晶体管/MOSFET放大电路频率响应分析；多级电路频率响应分析；
8. 功率放大器概念；功率放大器输出晶体管；功率放大器的种类；A类功率放大器；AB类功率放大器；设计应用实例：MOSFET晶体管构成的输出功率放大器；
9. 反馈的基本概念；理想反馈结构介绍；电压串联反馈、电流串联反馈、电压并联反馈和电流并联反馈这四种基本反馈电路的分析；环路增益概念及分析；反馈电路的稳定性分析；频率补偿分析；
10. 理想运算放大器组成及其特点、运算放大器等效电路；反向比例运算放大电路；加法器电路；同相放大电路（电压跟随器）；电流电压转换电路；电压电流转换电路；仪表放大器电路；积分器电路；微分器电路；精密半波整流电路；对数运算放大电路；指数运算放大电路；设计应用实例：带仪表放大器的电子温度计；
11. 通用集成运算放大器LM741；有源滤波器电路；振荡器电路；施密特触发器电路；非正弦波振荡器及时钟产生电路；集成功率放大器；集成稳压电源电路。
(二)、数字电子技术
1.数字逻辑基础
（1）数制和码制；
（2）三种基本逻辑运算、几种复合逻辑运算；
（3）逻辑函数的表示方法：函数式、真值表、逻辑电路图、卡诺图、波形图；表示法的相互转换；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法；含无关项的逻辑函数化简。
2.基本门电路的结构及其工作原理（二极管、TTL及CMOS门电路）；TTL门电路的静态特性和动态特性；CMOS门电路静态特性和动态特性等。
3.组合逻辑电路
（1）组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；
（2) 组合逻辑电路的分析和设计方法；
（3) 常用集成组合逻辑器件（编码器、译码器、数据选择器、数值比较器、加法器、减法器）的逻辑功能及使用方法：分析由SSI、MSI构成的组合逻辑电路及用SSI、MSI设计组合逻辑电路；
（4）组合逻辑电路中的竞争冒险；
4.时序逻辑电路
（1) 时序逻辑电路的分析和设计方法
（2）各种触发器的结构、逻辑功能及其描述方法；
（3）时序逻辑电路的含义；同步、异步时序电路的分析方；
（4）时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图、状态机流程图和时序图；
（5）常用时序逻辑电路（MSI：寄存器和移位寄存器、计数器）的功能及使用方法：分析由MSI构成的时序逻辑电路及用MSI设计时序逻辑电路；
（6）同步时序逻辑电路的设计、自启动设计（用触发器、MSI和门电路）；
5.脉冲波形的产生和整形
（1）施密特触发电路的性能特点和电压传输特性，参数计算；
（2）分析单稳态电路工作原理，参数计算；
（3）分析多谐振荡器工作原理，参数计算；
（4）分析由555定时器构成的电路的工作原理，参数计算。
6.半导体存储器的基本原理及应用
（1）存储器的分类；存储器容量的计算和扩展；用存储器实现组合逻辑函数。
（2）常用半导体存储器：SRAM, DRAM，ROM（PROM、EPROM、EEPROM、FlashROM）等。
7.数/模和模/数转换器
（1）D／A和A／D变换的作用及分类方法。
（2）D／A转换器：权电阻DAC，倒 T型电阻网络 DAC的工作原理及技术参数，D／A转换器的转换精度、分辨率。
（3）A/ D转换器：转换的四个步骤（采样、保持、量化、编码）、采样定理；逐次逼近型ADC的构成及工作原理；双积分型ADC；DAC的转换精度。
选读书目：
1.童诗白、华成英主编.《模拟电子技术基础》（第五版），高等教育出版社，2015年。
2.[美] 尼曼（Donald A.Neamen）著，任艳频，张东辉，赵哓燕 译《电子电路分析与设计（第四版）》(Part 1-半导体器件及其基本应用和Part 2-模拟电子技术)，清华大学出版社，2021年。
3.阎石 主编.数字电子技术基础（第六版），高等教育出版社，2016年。
复试科目：923半导体物理
姚汝华、周世水主编《微生物工程工艺原理》（第三版）
梁世中、朱明军主编《生物反应工程与设备》
考试内容和考试要求
1、半导体中的电子状态：半导体晶体结构及其描述，半导体的结合性质，原子能级与晶体的能带，半导体中电子的状态与能带，导体、半导体与绝缘体能带差异性，晶体中电子运动与有效质量，半导体导电机构与半导体中空穴概念，常见半导体能带结构，直接半导体与间接半导体，半导体的禁带宽度及其影响因素。
2、半导体中杂质与缺陷能级：硅、锗晶体中杂质及其能级以及n型、p型半导体的形成机制，III－V族化合物中杂质能级，半导体中的缺陷、位错能级。
3、半导体中载流子的统计分布：状态密度，费米能级与载流子统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，半导体中费米能级的影响因素及其规律性，非简并半导体与简并半导体。
4、半导体的导电性：欧姆定律的微分形式，半导体中载流子的漂移运动、迁移率及载流子散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应。
5、非平衡载流子：热平衡态与非平衡态，非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，非平衡载流子寿命与复合理论，陷阱效应，载流子扩散运动与扩散方程，爱因斯坦关系式，连续性方程及其应用。
6、pn结：pn结形成机理，平衡态和非平衡下pn结能带图与少子分布图，pn结单向导通的机制及其电流-电压特性，pn结的电容特性、开关特性和击穿特性。
7、金属和半导体接触：金属和半导体的功函数，金属半导体接触特性及其能带图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触。
8、半导体表面与MIS结构：半导体表面态，表面电场效应，MIS结构半导体表面状态及形成机制，空间电荷区泊松方程及其应用，MIS结构的电容-电压特性，硅-二氧化硅系统的性质，表面电导及迁移率。
9、半导体异质结：异质结的形成机理及其能带图，接触电势、势垒区宽度、势垒电容。
10、半导体的光学性质及光电效应：半导体光吸收的微观机制，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器。
11、半导体热电和磁电效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应。
选读书目：
1、《半导体物理学》第七版，刘恩科等编，电子工业出版社。
2、《半导体物理学基础教程》，冯文修等编，国防工业出版社
07
考试备考策略
开始时间：
若本科学过，则在五月份或者六月份开始比较好
若本科未学过，则四月份或者五月份开始（还是建议五月开始较好，前期还是要多一点时间学数学）
学习阶段：
基础阶段：★ ★ ★
看书了解基本知识点、公式、解题方法。
强化阶段：★ ★ ★ ★ ★
认真研读真题（数电近十年，模电23、24年）总结命题规律，并做完教材上课后重点习题
冲刺阶段：★ ★ ★
回顾重点习题，突破薄弱之处，并刷真题，对抗遗忘。
注意事项：
模电真题基本来自书上的课后带图的习题，复习重点放在带图习题上。
数电真题主要掌握原理，掌握一种原理就可以解一类题，555定时器书上讲得不详细，只看书你可能学不懂原理，建议去找找视频课，数电一定要弄懂原理（考试就吃了亏，我只背了几道常见555题的解题方法，但考试考得有点偏，原理我不会导致那道题扣了分）。模电倒可以直接背题，把解题方法背下来，依葫芦画瓢就可以做对题，懂不懂原理不重要。
数学一（基础阶段）
用书：
学张宇的30讲时，先大致看一下每一讲的内容，然后看课听宇哥讲，看完后再把书上的相应的知识点和例题研究一遍，就这样看完一讲后再去做配套的习题。将高数、现代和概率论学完后，花几天时间从头到尾总结、回顾一下，再去做660，做的过程中要不断回顾30讲，知识点忘了不要紧，重新去记去理解便可，基础阶段本就是让你记住基础知识点的，反复记，温故而知新（这很重要）。做完660后，如果时间充足就二刷660错题部分（时间过于充足的同学就二刷整本660），把部分遗忘的知识再记一下就可以进入强化阶段了。不需要再做其他习题集了，多做无益，浪费时间。
数学一（强化阶段）
用书：
学习方法与基础阶段类似，但侧重点不一样，基础阶段侧重点是基础知识点，而强化阶段侧重点是题目。
可以先看课，听宇哥讲做题方法，然后自己再把书上讲过的题做一遍（没必要先做题再看课）。看完一讲就做1000题上对应的题目。
重点要放在解题方法上，如果基础知识有遗忘就赶紧再回顾一下基础。学完后不要着急进入冲刺阶段，花两三天时间回顾总结一下所有知识和解题方法，形成体系（比如看到一道题就知道它考察哪个知识点，以及用什么方法解决）。完了就可以进入冲刺阶段
数学一（冲刺阶段）
用书：
真题（87年-24年）
模拟题:张宇、合工大（别买李林了）
此阶段主要做真题，将强化阶段所学，转化为试卷上的分数，掌握出题规律。
如果你强化阶段并没有形成完整的体系，则建议将10年以前的真题分题型来做，比如先只做极限的题，做完后再做倒数微分，这样有助于形成体系。如果你强化阶段已经形成比较好的体系，则可以以套卷形式做。
11年到20年这十年真题用来做仿真模拟（定时做，不准翻书），这十年真题很简单，如果你不失误能拿130以上的分数，那恭喜你比我优秀，至少是120+的种子选手。
20年以前真题都完成后。将21到24年真题拿来仿真模拟考（锻炼心态，把握做题节奏），不需要留来靠前模拟，数学没必要这样做。
买模拟卷来做一下，主要锻炼心态，别想着模拟卷能压中考题，这不可能的，模拟卷有些比较偏知识点或解题方法能记几个是几个，还是有点用的。
英语一（菜鸟经验）
用书：
1、三月份之前学语法，选择性学
2、三月到七月学做阅读，书、视频、真题搭配着来
3、八月到十月刷阅读（可以从03年开始二刷，英一刷完刷英二）
4、单词背诵在6月之前结束一轮（高、中、低频词），之后不断复习、背诵，最好继续再背两轮
5、十月到考试背作文、学小三门（字不好看的可以买本字帖练练）
6、可以留两到三套卷作为最后的考前模拟，主要用来练手感和把控时间
英语一（闭坑指南）
1、前期背单词时一定要顺带背一点短语，否则后期做完型你会发现很痛苦。
2、前期别碰三小门，留着后面再去做。
3、英语并不是只看你词汇量，更重要的是逻辑。
政治
全程都跟武忠祥老师和李永乐老师，武忠祥老师讲的比较深入浅出，而且武老师本人很可爱，缺点就是有一点点容易困。
一轮就是跟着武老师的课顺一遍，在顺的过程中一定要注意。例题跟上，在一轮的时候就可以着手写一些660的题目。
8月-11月中旬：先看徐涛的课，再回归肖老师的书，看完一章后做肖老师的1000题对应内容，就这样一轮结束后，二刷1000题，同时不断回顾书上的知识点，并且还要不断回顾错题。如果时间充足建议再把1000题上的错题三刷，打牢基础。
11月中旬-肖四上市：11月中旬前必须结束1000题二刷，如果你没有结束三刷，就别刷了，现在开始背诵腿姐的音频带背（特别是大题部分的素材），不建议只背肖四大题，因为你背不完，而且腿姐的素材和肖老师的大差不差。看腿姐技巧班（选择题部分根据自己需求看，简答题部分推荐看，要重点看书写步骤，按照腿姐的模板来写。免费的视频课在公众号“学长小谭考研”里面）。
闭坑指南
一定要提前背腿姐的简答题素材，不要只背肖四，因为你不可能背不完，除非你是记忆大师，其次腿姐的简答题素材跟肖老师差不多，事实上你完全可以只背腿姐的素材，然后再背肖四的时政部分。
没必要去看那些时政专栏，因为没必要，考试就只考一道选择题而已，简答题的时政题背肖四上的就行，在肖四上市之前，一定要尽量把腿姐的素材背完（在冲刺背诵手册下册，音频带背会给你勾画重点内容）
08
研究生专业经验分享
1、真题对于831是十分重要的，23年考察的真题基本上都能在以前的真题中找到参考痕迹。因此对于真题，学长建议时间充足的同学，可以先自己写一遍，整理好自己的思路，再对照答案进行修正；备考时间紧张的同学，可以抄写并且背真题的答案。（学长不太建议大家直接背，因为在考场紧张的情况下，很容易忘记的，所以建议大家能早点复习就早点复习，一定要有自己动手写的过程，空背是没效果的！）
2、在考场上，是很少能够给到你思考时间的，因为只有名词解释+简答题+综述题，我考试的时候从开考的第一分钟写到了交卷，所以我是不建议大家提前交卷的，因为在我看来你几个月甚至半年的努力，应该是够你写两个小时的。说这些也是希望大家能够背的熟一点，在考试的时候就能写的快一点（学长当时最后一道大题没写完555），说实在的831真的不难，只是背的东西会有点多，但只要你认真背了就一定有高分。对书写速度以及答题量没有概念的同学可以预留近几年的真题或者编写的模拟题进行模拟练习，一定一定要控制在两个小时，多写几套就会有自己的答题节奏了。（名词解释控制在30-50字；简答题控制在半页纸B5；综述题可多写一点约1-1.5页纸B5）
3、发酵工程和生物与医药近几年基本上都是过了校线（基本上是310分）就能进入复试的，所以请大家相信过初试是不难的！需要提醒的是偏科问题，数学的70分、英语的50分校线也是有一定难度的，大家不要掉以轻心，专业课考高了，其它的没过线就得不偿失了。
09
复试注意事项
1.初试分数高，从容不迫备考；
最好的结果，自信心充足，但也不能掉以轻心！
2.初试分数在校线边缘，两手准备（备考复试+调剂）；
考验心态，备考复试时尽量避免患得患失；
寻找调剂快、准、狠，若有合适调剂，精准打击！
3.初试分数远远不及校线，准备调剂。
不必气馁，尽早做打算，塞翁失马，焉知非福。
