本帖最后由 华工招招 于 2023-9-19 11:51 编辑
《电子技术基础(含数字与模拟电路)（838）》考试大纲 | | | | | | 考试性质 | | | 考试内容和考试要求
(一)、模拟电子技术
1. 半导体材料及导电特性；PN结与半导体二极管的特性；二极管直流分析与模型；二极管交流等效电路分析；各种二极管类型介绍；设计应用实例（二极管构成的温度计）；
2. 整流电路；齐纳二极管电路；钳位和限幅电路；多二极管电路；光电二极管和发光二极管（LED）；二极管电路设计实例：直流电源；
3. 双极型晶体管结构及工作原理分析；双极型晶体管电路的直流分析；双极型晶体管构成的三种放大电路的直流分析；双极型晶体管多级放大电路的直流分析；
4. 双极型晶体管交流小信号等效模型；双极型晶体管放大电路小信号等效电路；共射放大电路交流小信号放大分析；共集放大电路（射极跟随器）交流小信号放大分析；共基放大电路交流小信号放大分析；三种基本双极型晶体管放大电路的总结和比较；双极型晶体管多级放大电路分析；设计应用实例：音频放大器；
5. MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）结构及工作原理分析；MOSFET放大电路直流分析；MOSFET多级放大电路直流分析；设计应用实例：带MOSFET晶体管的二极管温度计；
6. MOSFET交流小信号等效模型；MOSFET放大电路交流等效电路；共源放大电路交流小信号放大分析；共漏放大电路（源跟随器）交流小信号放大分析；共栅放大电路交流小信号放大分析；三种MOSFET基本放大电路结构总结与比较；MOSFET多级放大电路分析；
7. 放大器频率响应概念；频率响应的系统传输函数；晶体管放大电路中电容对频率响应的影响分析；双极型晶体管/MOSFET放大电路频率响应分析；多级电路频率响应分析；
8. 功率放大器概念；功率放大器输出晶体管；功率放大器的种类；A类功率放大器；AB类功率放大器；设计应用实例：MOSFET晶体管构成的输出功率放大器；
9. 反馈的基本概念；理想反馈结构介绍；电压串联反馈、电流串联反馈、电压并联反馈和电流并联反馈这四种基本反馈电路的分析；环路增益概念及分析；反馈电路的稳定性分析；频率补偿分析；
10. 理想运算放大器组成及其特点、运算放大器等效电路；反向比例运算放大电路；加法器电路；同相放大电路（电压跟随器）；电流电压转换电路；电压电流转换电路；仪表放大器电路；积分器电路；微分器电路；精密半波整流电路；对数运算放大电路；指数运算放大电路；设计应用实例：带仪表放大器的电子温度计；
11. 通用集成运算放大器LM741；有源滤波器电路；振荡器电路；施密特触发器电路；非正弦波振荡器及时钟产生电路；集成功率放大器；集成稳压电源电路。
(二)、数字电子技术
1.数字逻辑基础
（1）数制和码制；
（2）三种基本逻辑运算、几种复合逻辑运算；
（3）逻辑函数的表示方法：函数式、真值表、逻辑电路图、卡诺图、波形图；表示法的相互转换；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法；含无关项的逻辑函数化简。
2.基本门电路的结构及其工作原理（二极管、TTL及CMOS门电路）；TTL门电路的静态特性和动态特性；CMOS门电路静态特性和动态特性等。
3.组合逻辑电路
（1）组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；
（2) 组合逻辑电路的分析和设计方法；
（3) 常用集成组合逻辑器件（编码器、译码器、数据选择器、数值比较器、加法器、减法器）的逻辑功能及使用方法：分析由SSI、MSI构成的组合逻辑电路及用SSI、MSI设计组合逻辑电路；
（4）组合逻辑电路中的竞争冒险；
4.时序逻辑电路
（1) 时序逻辑电路的分析和设计方法
（2）各种触发器的结构、逻辑功能及其描述方法；
（3）时序逻辑电路的含义；同步、异步时序电路的分析方；
（4）时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图、状态机流程图和时序图；
（5）常用时序逻辑电路（MSI：寄存器和移位寄存器、计数器）的功能及使用方法：分析由MSI构成的时序逻辑电路及用MSI设计时序逻辑电路；
（6）同步时序逻辑电路的设计、自启动设计（用触发器、MSI和门电路）；
5.脉冲波形的产生和整形
（1）施密特触发电路的性能特点和电压传输特性，参数计算；
（2）分析单稳态电路工作原理，参数计算；
（3）分析多谐振荡器工作原理，参数计算；
（4）分析由555定时器构成的电路的工作原理，参数计算。
6.半导体存储器的基本原理及应用
（1）存储器的分类；存储器容量的计算和扩展；用存储器实现组合逻辑函数。
（2）常用半导体存储器：SRAM, DRAM，ROM（PROM、EPROM、EEPROM、FlashROM）等。
7.数/模和模/数转换器
（1）D／A和A／D变换的作用及分类方法。
（2）D／A转换器：权电阻DAC，倒 T型电阻网络 DAC的工作原理及技术参数，D／A转换器的转换精度、分辨率。
（3）A/ D转换器：转换的四个步骤（采样、保持、量化、编码）、采样定理；逐次逼近型ADC的构成及工作原理；双积分型ADC；DAC的转换精度。 | 备注
选读书目:
1.童诗白、华成英主编.《模拟电子技术基础》（第五版），高等教育出版社，2015年。
2.[美] 尼曼（Donald A.Neamen）著，任艳频，张东辉，赵哓燕 译《电子电路分析与设计（第四版）》(Part 1-半导体器件及其基本应用和Part 2-模拟电子技术)，清华大学出版社，2021年。
3.阎石 主编.数字电子技术基础（第六版），高等教育出版社，2016年。 |
| | | | | | 考试性质 | | | 考试内容和考试要求
1、半导体中的电子状态：半导体晶体结构及其描述，半导体的结合性质，原子能级与晶体的能带，半导体中电子的状态与能带，导体、半导体与绝缘体能带差异性，晶体中电子运动与有效质量，半导体导电机构与半导体中空穴概念，常见半导体能带结构，直接半导体与间接半导体，半导体的禁带宽度及其影响因素。
2、半导体中杂质与缺陷能级：硅、锗晶体中杂质及其能级以及n型、p型半导体的形成机制，III－V族化合物中杂质能级，半导体中的缺陷、位错能级。
3、半导体中载流子的统计分布：状态密度，费米能级与载流子统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，半导体中费米能级的影响因素及其规律性，非简并半导体与简并半导体。
4、半导体的导电性：欧姆定律的微分形式，半导体中载流子的漂移运动、迁移率及载流子散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应。
5、非平衡载流子：热平衡态与非平衡态，非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，非平衡载流子寿命与复合理论，陷阱效应，载流子扩散运动与扩散方程，爱因斯坦关系式，连续性方程及其应用。
6、pn结：pn结形成机理，平衡态和非平衡下pn结能带图与少子分布图，pn结单向导通的机制及其电流-电压特性，pn结的电容特性、开关特性和击穿特性。
7、金属和半导体接触：金属和半导体的功函数，金属半导体接触特性及其能带图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触。
8、半导体表面与MIS结构：半导体表面态，表面电场效应，MIS结构半导体表面状态及形成机制，空间电荷区泊松方程及其应用，MIS结构的电容-电压特性，硅-二氧化硅系统的性质，表面电导及迁移率。
9、半导体异质结：异质结的形成机理及其能带图，接触电势、势垒区宽度、势垒电容。
10、半导体的光学性质及光电效应：半导体光吸收的微观机制，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器。
11、半导体热电和磁电效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应。 | 备注
选读书目
1、《半导体物理学》第七版，刘恩科等编，电子工业出版社。
2、《半导体物理学基础教程》，冯文修等编，国防工业出版社 |
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